怎样区分mos管和igbt,对于电子爱好者来说如何区分IGBT和MOS管？

对于电子爱好者来说如何区分IGBT和MOS管？

★这里涉及到IGBT是什么?它与MOS管有什么区别吗?它们两个各有优缺点。

其实IGBT就是绝缘栅双极型晶体管。怎样判别绝缘栅双极晶体管(IGBT)的好坏吗?下面本人就简单说一下。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是通过栅极驱动电压来控制的开关晶体管，广泛用于变频器中作为直流逆变成交流的电力电子元件。IGBT管的结构见下图所示。

IGBT管的工作原理同场效应晶体管(通常称为MOSFET管)相似，IGBT管的G为栅极，C为集电极，E为发射极。IGBT相对于三极管，场管有很多特殊的地方。以H20R1203为例，

它是一个最常用的一个IGBT管的一种。这种结构的管基本上80％带有阻尼二极管，使用中带阻尼IGBT管可以代换不带阻尼的IGBT管使用。IGBT管可以理解为大功率的三极管、MOS管的一种复合体，或者说是组合体（但是不是简单的组合，而是加了多层半导体材料所形成的）形成的新型电压驱动元器件。IGBT管继承了MOS场管的高阻抗和三极管的高反压的优点。

IGBT管检测好坏可以用数字万用表和指针式万用表检测IGBT管的好坏，具体方法如下（以指针式万用表测量）。

①确定三个电极(此时假定管子是好的)。先确定栅极G。将万用表拨在Rx10k挡，若测量到某一极与其他两极电阻值为无穷大，调换表笔后测得该极与其他两极的电阻值仍为无穷大，则可判断此极为栅极(G)。再测量其余两极。

若测得电阻值为无穷大，而调换表笔后测得电阻值较小，此时红表笔(实为负极)接的为集电极(C)，黑表笔(实为正极)接的为发射极(E)。

②确定管子的好坏。将万用表拨在Rx 10 k挡，用黑表笔接C极，红表笔接E极，此时万用表的指针在零位，用手指同时触及一极下G和C极，万用表的指针摆向电阻值较小的方向(IGBT被触发导通)，并指示在某一位置；再用手指同时触及一下G极和E极，万用表的指针回零(IGBT被阻断)，即可判断IGBT是好的。

如果不符合上述现象，则可判断IGBT是坏的。用此方法也可检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

★MOS管是单极性晶体管。因为IGBT是由MOS管与三极管组成的。MOS管优缺点:切换频率高，开关速度快点，缺点就是高压时导通电阻高，功耗大，一般低于250V。IGBT因为加了三极管，开关有些延时，拖尾而速度慢点，优点就是高压时导通电阻低，因三极管导通电阻比MOS管要小，双极型比单极型就是电阻小。在高压时,功率损耗小。在低压时功耗大小看不出来，高压就不一样了。

♥MOS管又称为电力场效应晶体管，是近些年获得最快发展的一种单极型电压控制器件，不但有自关断能力，而且具有输入阻抗高、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达50kH、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点。可应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备等电子电器设备中，但工作电压还不能太高，电流容量也不能太大，所以目前只适用于小功率电力电子装置。

1.电力场效应晶体管的结构和工作原理

电力场效应晶体管有多种结构形式，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。此处以应用较广泛的单极 VDMOSFET、N沟道增强型为例，介绍电力场效应晶体管的结构和工作原理，其内部结构和图形符号如下图所示。

MOS管一般用于高频电路，大于100 KHz。用于开关电源，高频通信电源之类。而IGBT适用于频率小于25 KHz的高压大电流的电路中。比如焊机、逆变器、变频器等。

MOS管和IGBT管的定义是什么？怎么辨别呢？

《泰德兰电子》提供AOS美国万代功率MOSFET的型号选型及应用问题分析以及mojay茂捷的AC-DC,torex特瑞仕的DC-DC电源IC/霍尼韦尔(Honeywell)传感器等方案型号推荐---MOS管和IGBT管的定义是什么与怎么辨别呢?

答：MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！

MOS管

MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。

综上所述的两种晶体管，是目前电子设备使用频率很高的电子元器件，两者在外形及静态参数极其相似，某些电子产品是存在技术垄断，在电路中有时它们的型号是被擦掉的，截止目前，它们在命名标准及型号统又没有统一标准，而外型及管脚的排列相似，根本无规律可循，成为维修过程中的拦路虎，如何区分和判断成为必要手段。

MOS管和IGBT管的辨别

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样，IGBT管的C极位置跟MODS管的D极位置相对应，IGBT管的e极位置跟MODS管的S极位置相对应，对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成。

静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

先将两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd＝Rgs＝Rds＝无穷大，Rsd＝几千欧。IGBT管的G极到c、e极的电阻应为无穷大，即Rgc＝Rge＝无穷大，而IGBT管的之间有阻尼二极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce＝无穷大，Rec＝几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。测量得阻值很小，则说明管子被击穿，测量阻值很大，说明管子内部断路。

动态测量区分MOS管和IGBT管

先用万用表给管子的栅极施加电压，是场效应管建立起沟道，然后测量D、S及c、e之间的阻值，根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。

用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，Rds＝Rsd≈0，而Rce之间呈现电阻Rce，晶体三极管处于放大状态的导通电阻，Rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出MOS与IGBT管。